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IRF7704TRPBF中文资料

IRF7704TRPBF图片

IRF7704TRPBF外观图

  • 大小:193.6KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, P, 40V, TSSOP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSSOP; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-4.6A; Package / Case:TSSOP; Power Dissipation Pd:1.5W; Pulse Current Idm:19A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:40V; Voltage Vds Typ:-40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-1V; Voltage Vgs th Min:-3V
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:46 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3150pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-TSSOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7704TRPBF-NDIRF7704TRPBFTR

IRF7704TRPBF供应商

更新时间:2023-01-05 18:52:38
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